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VBL16R07 产品详细

产品简介:

产品简介:VBsemi的VBL16R07是一款TO263封装的N沟道场效应晶体管,采用Plannar技术制造。它具有600V的漏极-源极电压(VDS),7A的漏极电流(ID),30V的门源电压(VGS),3.5V的门阈电压(Vth),以及1200mΩ的导通电阻(VGS=10V)。这款产品适用于低功率应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:
- 电压参数:VDS(漏极-源极电压)为600V,VGS(门源电压)为±30V,Vth(门阈电压)为3.5V。
- 电流参数:ID(漏极电流)为7A。
- 技术特性:采用Plannar技术。
- 导通电阻:在VGS=10V时为1200mΩ。
- 封装:TO263。

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 小型家电控制器:适用于低功率的家电控制器,如电饭煲、电磁炉等。
2. 低功率LED驱动器:在低功率LED照明产品中,可用于驱动LED灯珠,如小型台灯、装饰灯等。
3. 汽车电子:用于汽车电子系统中的低功率模块,如车内照明、车载充电器等。
4. 工业控制器:适用于低功率的工业自动化控制器和传感器模块,如温度控制器、湿度传感器等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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