MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBL16R02 产品详细

产品简介:

产品简介:

VBL16R02是VBsemi品牌推出的单N沟道MOSFET器件,具有高性能和可靠性。该器件采用Plannar技术制造,封装为TO263。具有600V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门源电压(VGS)、3.5V的阈值电压(Vth),在VGS=10V时的导通电阻为4000mΩ,最大漏极电流(ID)为2A。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

详细参数说明:

- 产品型号:VBL16R02
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道MOSFET
- 漏极-源极电压(VDS):600V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻:4000mΩ
- 最大漏极电流(ID):2A
- 制造工艺:Plannar
- 封装形式:TO263

领域和模块应用:


适用领域和模块举例:

1. 小功率电子产品:VBL16R02适用于各种小功率电子产品,如便携式电子设备、智能家居产品等,提供稳定的电力控制和保护。
2. LED照明控制:在LED照明系统中,该器件可用于LED灯具的电源控制模块,实现对LED光源的稳定驱动和亮度调节。
3. 低功耗电源管理:由于VBL16R02的低漏电流和低功耗特性,适用于低功耗电源管理模块,如待机电源、电池充放电管理系统等。
4. 汽车电子:在汽车电子系统中,该器件可用于车载电子产品中的低功率控制模块,如车载娱乐系统、车内照明等,提供可靠的电力控制和保护。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询