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VBL16R01 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBL16R01是VBsemi公司生产的Single N型MOSFET,采用Plannar技术制造。该器件具有600V的漏极-源极电压(VDS),30V的门极-源极电压(VGS),3.5V的门极阈值电压(Vth)。其封装为TO263。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):600V
- 门极-源极电压(VGS):±30V
- 门极阈值电压(Vth):3.5V
- 10V门极电压下的漏极-源极电阻(mΩ):6500mΩ
- 最大漏极电流(ID):1A
- 技术:Plannar

领域和模块应用:

应用示例:
- 低功率电源模块:VBL16R01适用于低功率电源模块,如小型开关电源和逆变器,可用于家庭电子设备、LED照明等。
- 信号处理器:由于其低漏极电流和高漏极-源极电阻,该器件适用于信号处理器中的电源开关和放大器。
- 电动工具:在电动工具中,VBL16R01可用于驱动低功率电机和执行控制任务,如速度调节和反向控制。
- 通信设备:该器件可用于通信设备中的电源管理和信号调节,如小型无线路由器和通信模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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