产品简介:VBL165R36S是VBsemi品牌的单N型场效应晶体管,采用SJ_Multi-EPI技术封装为TO263。具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门源电压(VGS)、3.5V的阈值电压(Vth)、75mΩ(VGS=10V)的导通电阻和36A的漏极电流(ID)。
详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 门源电压为10V时的导通电阻:75mΩ
- 漏极电流(ID):36A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO263
适用领域和模块示例:
1. 电动汽车驱动系统:由于其高漏极-源极电压和适中的漏极电流,可用于电动汽车的电机驱动器模块,实现高效能的功率转换。
2. 电源逆变器:适用于太阳能逆变器、风力发电逆变器等领域,将直流电转换为交流电,并将其注入到电网中。
3. 工业电源供应:可用于工业设备的电源供应模块,提供稳定的直流电源。
4. 智能家居系统:在智能家居系统中,可用于功率开关模块,实现对家电设备的智能控制和管理。
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