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VBL165R22 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBL165R22是一款单N沟道MOSFET,具有高达650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门极-源极电压(VGS),和3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面技术制造,封装为TO263,具有优异的性能和可靠性。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 门极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):280mΩ
- 最大漏极电流(ID):22A
- 技术:平面
- 封装:TO263

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源模块:VBL165R22可用于开关电源、逆变器和充电器等电源模块中,实现高效率和可靠性。
2. 汽车电子:在汽车电子系统中,该器件可用于电动汽车的驱动控制、充电桩的功率转换等应用。
3. 工业自动化:适用于工业电机驱动、变频器、工控设备等领域,提供高性能的功率开关解决方案。
4. LED照明:在LED驱动电路中,该MOSFET可用于功率因数校正(PFC)电路和LED驱动电源中,提高效率和稳定性。

以上仅为一些示例,实际应用取决于具体设计需求和系统要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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