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VBL165R20SE 产品详细

产品简介:

产品简介详:
VBsemi的VBL165R20SE是一款单N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),和3.5V的阈值电压(Vth)。该MOSFET在VGS=10V时,具有150mΩ的导通电阻,可承受最大20A的漏极电流(ID)。采用SJ_Deep-Trench技术,封装为TO263。

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产品参数:

参数说明:
- 型号:VBL165R20SE
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应晶体管(MOSFET)
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:150mΩ
- 最大漏极电流(ID):20A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO263

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
该产品适用于各种领域和模块,包括但不限于:
1. 电源模块:用于开关电源、逆变器和DC-DC转换器。
2. 汽车电子:在汽车电子系统中,如发动机控制单元(ECU)、电池管理系统(BMS)和电动车控制器中有广泛应用。
3. 工业控制:用于工业自动化设备、机器人和电力电子设备。
4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,作为逆变器的关键组件,将直流电转换为交流电。
5. LED照明:用于LED驱动器,控制LED的亮度和功率。

这些领域和模块需要高性能、高可靠性的MOSFET来实现功率控制和转换功能,而VBL165R20SE正是符合这些要求的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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