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VBL165R18 产品详细

产品简介:

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VBsemi VBL165R18 是一款单 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,封装为 TO263。该产品具有650V 的 VDS 额定电压,30V 的 VGS 最大偏置电压,以及3.5V 的阈值电压。它的导通电阻(VGS=10V)为430mΩ,最大漏极电流为18A,适用于各种高压应用场景。

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产品参数:

详细参数说明:

1. VDS(漏极-源极电压):650V
2. VGS(栅极-源极电压):±30V
3. 阈值电压(Vth):3.5V
4. VGS=10V 时的导通电阻:430mΩ
5. 最大漏极电流(ID):18A
6. 技术:Plannar
7. 封装:TO263

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:

1. 电源模块:VBL165R18 可以用于开关电源的功率开关模块,如电源逆变器、充电器和直流-直流转换器,以实现高效能的能量转换。

2. 电动车充电器:在电动汽车充电器中,VBL165R18 可以作为功率开关器件,用于控制充电电流,提高充电效率和速度。

3. 电力传输系统:该产品适用于电力传输系统中的高压直流输电装置,如直流变流器和换流站,用于调节和控制电流流向和电压稳定。

4. 工业控制设备:在工业控制领域,VBL165R18 可以用于高压开关电源、工业自动化设备和变频调速装置等,以实现精确的电力控制和调节。

5. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,该产品可用作逆变器的开关元件,将太阳能板产生的直流电转换为交流电,用于供电给家庭或商业用途。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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