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VBL165R12 产品详细

产品简介:

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VBsemi VBL165R12 是一款单N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),采用 Plannar 技术,适用于高性能功率电子应用。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS),12A的漏极电流(ID),以及30V的栅极-源极电压(VGS)。封装为TO263。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBL165R12
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道功率场效应晶体管(MOSFET)
- 技术:Plannar
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 栅极-源极电压为10V时的导通电阻(mΩ):800mΩ
- 漏极电流(ID):12A
- 封装:TO263

领域和模块应用:

应用领域和模块示例:
该产品适用于以下领域和模块:
1. 电源开关模块:由于具有较高的漏极-源极电压和漏极电流能力,适用于电源开关模块,如电源逆变器、开关电源等。
2. 电动汽车驱动:可用于电动汽车中的功率开关和电流控制,如电动汽车驱动系统中的逆变器和电机控制器。
3. 工业自动化设备:适用于工业自动化设备中的电力开关和电流调节,提高设备的运行效率和稳定性。
4. 太阳能逆变器:用于太阳能光伏系统中的逆变器,将太阳能电能转换为交流电能,供给家庭和工业用电系统。

以上是部分示例,该产品还可应用于其他需要高性能功率开关的领域和模块中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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