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VBL165R11S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBL165R11S是VBsemi品牌推出的单N沟道场效应晶体管,封装为TO263。它具有高达650V的漏源电压(VDS),30V的栅源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。此外,其栅源电压为10V时的导通电阻为420mΩ,最大漏极电流(ID)为11A。该产品采用SJ_Multi-EPI工艺制造。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏源电压(VDS):650V
- 栅源电压(VGS):30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 栅源电压为10V时的导通电阻:420mΩ
- 最大漏极电流(ID):11A
- 制造工艺:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO263

领域和模块应用:

应用领域和模块示例:
该产品适用于以下领域和模块:
1. 电源逆变器模块:由于其高漏源电压和低导通电阻,可用于设计高效率的电源逆变器模块,如太阳能逆变器和电动车充电器。
2. 汽车电子模块:在汽车电子领域,该产品可用于汽车点火系统、电动汽车驱动器等模块,以实现高功率和高可靠性。
3. 工业自动化控制系统:适用于工业自动化领域的电机控制、电源管理和电力传输等模块,提高系统的性能和稳定性。
4. LED照明驱动器:可用于LED照明系统中的驱动器模块,提供稳定的电源和精准的电流控制,实现高效能的照明解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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