MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBL165R11 产品详细

产品简介:

**产品简介:**
VBsemi品牌的VBL165R11是一款单N沟道MOSFET,采用Plannar技术制造,封装为TO263。该产品具有高达650V的漏极-源极电压(VDS),并且具有较低的导通电阻。适用于各种需要高功率开关和电源管理的应用场合。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

**详细参数说明:**
- 品牌:VBsemi
- 型号:VBL165R11
- 类型:Single N 沟道 MOSFET
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 栅极-源极电压为10V时的导通电阻:800 mΩ
- 最大漏极电流(ID):11A
- 技术:Plannar
- 封装:TO263

领域和模块应用:

**适用领域和模块举例:**
1. **电动汽车电源模块**:VBL165R11可用于电动汽车的电源管理模块,如电机控制器、电池管理系统等。由于其高电压和高电流特性,能够在电动汽车系统中提供可靠的功率开关功能。

2. **工业高频开关电源**:在工业高频开关电源中,该型号的MOSFET可用于高频开关电源的功率开关电路,用于实现高效的电能转换和管理。其低导通电阻和高电流特性使其能够承受高频率的开关操作。

3. **太阳能逆变器**:VBL165R11可用于太阳能逆变器中的功率开关电路,实现太阳能电能的有效转换和管理。其高耐压和高电流特性使其适用于太阳能发电系统中的高压环境。

4. **工业自动化设备**:在工业自动化设备中,该型号的MOSFET可用于各种工业控制和驱动器,如PLC控制器、马达控制器等。其高电压和低导通电阻特性使其能够承受工业环境中的高电压和电流负载。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询