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VBL165R10 产品详细

产品简介:

产品简介详:
VBL165R10是由品牌VBsemi推出的一款单N沟道场效应晶体管(MOSFET)。该器件具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)和3.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=10V时,具有1100mΩ的导通电阻,能够承受最大10A的漏极电流(ID)。采用Plannar技术,封装为TO263。

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产品参数:

详细参数说明:
- 型号:VBL165R10
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应晶体管(MOSFET)
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:1100mΩ
- 最大漏极电流(ID):10A
- 技术:Plannar
- 封装:TO263

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
该产品适用于以下领域和模块:
1. 工业电源模块:用于工业自动化设备、电动机驱动器和UPS系统等领域的电源开关控制。
2. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,作为逆变器的关键元件,将直流电转换为交流电。
3. 电动车辆充电桩:用于电动汽车充电桩中的功率开关控制,控制充电电流和电压。
4. LED照明控制:在LED照明产品中的电源开关控制,如LED灯具、路灯等。
5. 工业自动化控制:用于工厂自动化控制系统、机器人控制和电动工具中的功率开关控制。

这些领域和模块需要高性能、高可靠性的功率开关元件来实现功率控制和转换功能,而VBL165R10正是满足这些要求的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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