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VBL165R08SE 产品详细

产品简介:

产品简介:VBsemi的VBL165R08SE型号是一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。该产品采用SJ_Deep-Trench技术制造,封装为TO263。

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产品参数:

详细参数说明:
- VDS(漏极-源极电压):650V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:460mΩ
- 最大漏极电流(ID):8A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO263

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
- 电源模块:适用于中功率的电源模块,如电源逆变器和工业电源。
- 汽车电子:可用于汽车电子模块中的功率开关,如车载充电器和车辆动力控制系统。
- 电动工具:适用于电动工具中的功率开关模块,如电动钻和电锤,以实现高效的电机驱动和控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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