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VBL165R08S 产品详细

产品简介:

该产品是单极性 N 型的功率场效应晶体管(MOSFET),具有以下特点:
- 高额定电压(650V),适用于大功率应用
- 宽广的门源电压范围(±30V),具有良好的电压容忍性
- 较低的阈值电压(3.5V),有助于减少功率损耗
- 低漏极-源极电阻(540mΩ),提供良好的导通性能
- 高漏极电流(8A),适用于高功率应用场景
- 使用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性
- 封装为TO263,便于安装和散热

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产品参数:

产品型号:VBL165R08S
品牌:VBsemi
参数:
- 类型:单极性 N 型
- 额定电压(VDS):650V
- 门源电压范围(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):540
- 漏极电流(ID):8A
- 技术:SJ_Multi-EPI
封装:TO263

领域和模块应用:

该产品适用于以下领域和模块:
1. 电源模块:由于具有较高的额定电压和漏极电流,可用于设计高效稳定的电源模块,如开关电源和逆变器。
2. 电动车充电桩:适用于电动车充电桩中的功率开关控制模块,帮助实现快速、高效的充电。
3. 工业自动化设备:可用于工业驱动器、机器人控制器等设备中的功率开关模块,提供可靠的电力控制。
4. 太阳能逆变器:由于具有良好的电压容忍性和低功耗特性,可用于太阳能逆变器中的功率转换模块,提高能源利用率。
5. LED照明:可用于LED照明驱动电路中的功率开关模块,提供高效稳定的电流控制,延长LED灯的使用寿命。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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