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VBL165R05SE 产品详细

产品简介:

产品简介:VBsemi 的 VBL165R05SE 是一款单 N 沟道场效应晶体管,具有高耐压和高电流承受能力,适用于各种功率电子应用。

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产品参数:

详细参数说明:
- 品牌:VBsemi
- 型号:VBL165R05SE
- 类型:单 N 沟道场效应晶体管
- 最大漏极-源极电压(VDS):650V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 栅极-源极电压为 10V 时的导通电阻(mΩ):780
- 最大漏极电流(ID):5A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO263

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源管理模块:由于 VBL165R05SE 具有高耐压和低导通电阻特性,适用于设计电源管理模块,提供稳定可靠的电源输出。
2. LED 照明驱动器:在 LED 照明驱动器中,可用作功率开关器件,实现高效率的能量转换和灯光控制。
3. 汽车电子系统:在汽车电子系统中,可用于设计车载电源管理和驱动模块,提供可靠的动力输出和控制。
4. 工业自动化控制:适用于工业自动化控制系统中的功率转换和控制电路,确保设备的高效率和稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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