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VBL165R04 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBL165R04是VBsemi品牌的单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO263,适用于各种应用场景。

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产品参数:

详细参数说明:
- VDS(漏极-源极电压):650V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):2200
- 最大漏极电流(ID):4A
- 技术:Plannar
- 封装:TO263

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源逆变器模块:VBL165R04可用于太阳能逆变器和UPS系统中的功率开关,帮助实现直流电到交流电的转换。
2. 电动汽车驱动模块:由于其高电压和高电流承受能力,该产品适用于电动汽车的驱动模块,如电机控制器和电池管理系统。
3. 工业自动化模块:在工业自动化领域,VBL165R04可用于PLC控制器和工厂自动化设备中的功率开关,提供稳定的电源输出。
4. LED照明模块:作为LED驱动电路中的功率开关,该产品可用于工业照明和商业照明领域,如街道灯和办公室照明系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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