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VBL165R02 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBL165R02是VBsemi品牌的单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO263,适用于各种应用场景。

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产品参数:

详细参数说明:
- VDS(漏极-源极电压):650V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):4500
- 最大漏极电流(ID):2A
- 技术:Plannar
- 封装:TO263

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源逆变器模块:VBL165R02可用于电源逆变器模块中的功率开关,用于转换直流电到交流电,适用于太阳能逆变器和UPS系统等。
2. 电动汽车驱动模块:由于其高电压和高电流特性,该产品适用于电动汽车的驱动模块,如电动汽车控制器和电机驱动系统。
3. 工业照明模块:在工业照明领域,VBL165R02可以作为LED驱动电路中的功率开关,用于提供稳定的电源输出和控制LED灯的亮度。
4. 电力传输模块:由于其高电压承受能力和低导通电阻,该产品适用于电力传输模块中的开关电源,用于提供稳定的电力传输和分配。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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