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VBL1615A 产品详细

产品简介:

VBL1615A是一款单 N 型 MOSFET,具有60V的核心电压(VDS),±20V的门源电压范围(VGS),以及2.5V的阈值电压(Vth)。在4.5V的门源电压下,漏极-源极电阻为9mΩ;在10V的门源电压下,漏极-源极电阻为7mΩ。最大漏极电流为120A。该产品采用了 Trench 技术制造,封装为TO263。

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产品参数:

产品型号:VBL1615A
品牌:VBsemi
参数:
- 类型:Single N
- 核心电压(VDS):60V
- 门源电压范围(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):2.5V
- 4.5V 门源电压时的漏极-源极电阻(mΩ):9
- 10V 门源电压时的漏极-源极电阻(mΩ):7
- 最大漏极电流(ID):120A
- 技术:Trench
封装:TO263

领域和模块应用:


应用简介:
1. 电动汽车电池管理系统:由于VBL1615A具有较高的漏极电流和适中的漏极-源极电阻,适合用于电动汽车电池管理系统中的电池充放电控制。其高电压和大电流能够提供可靠的功率输出,同时低电阻有助于减少功率损耗。
2. 电源模块:在电源模块中,需要使用功率开关器件来实现电源开关和调节功能。VBL1615A的高电压和大电流特性使其成为电源模块中的理想选择,能够提供稳定可靠的功率输出,并且较低的电阻有助于提高电源模块的效率。
3. 工业电气控制系统:在工业电气控制系统中,需要使用功率开关器件来控制各种电气设备的开关和调节。VBL1615A的高电压和适中的电流特性使其成为工业电气控制系统中的理想选择,能够提供稳定可靠的开关控制功能,如电机控制和照明调节。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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