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VBL15R30S 产品详细

产品简介:

VBL15R30S是一款单N沟道MOSFET,具有500V的额定漏极-源极电压和30A的额定漏极电流,具有良好的热特性和可靠性。采用TO263封装形式,适用于电动汽车电力系统、工业高压电源模块和太阳能逆变器等高功率电力和电子应用,为这些领域提供稳定可靠的功率开关功能,推动高功率应用领域的发展和应用。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单N沟道MOSFET
- 额定漏极-源极电压 (VDS): 500V
- 门极-源极电压 (VGS) (±V): ±30V
- 阈值电压 (Vth): 3.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极导通电阻 (mΩ): 140mΩ
- 额定漏极电流 (ID): 30A
- 技术: 多重外延平台 (SJ_Multi-EPI)
封装: TO263

领域和模块应用:

示例应用:
1. **电动汽车电力系统**:
VBL15R30S适用于电动汽车电力系统中的逆变器和驱动控制器。其高额定漏极-源极电压和漏极电流能力,使其适用于电动汽车的动力传动系统,提供高效的功率开关功能。

2. **工业高压电源模块**:
在工业高压电源模块中,VBL15R30S可用于高压直流电源和电力变换器中的功率开关。其高额定漏极-源极电压和漏极电流特性,适用于工业控制系统和电力传输设备。

3. **太阳能逆变器**:
在太阳能逆变器中,VBL15R30S可用作逆变器电路中的功率开关元件。其高额定漏极-源极电压和漏极电流能力,使其适用于大功率太阳能光伏发电系统,提高了逆变器的效率和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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