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VBL15R14S 产品详细

产品简介:

VBL15R14S是一款单N沟道MOSFET,具有高达500V的额定漏极-源极电压和14A的漏极电流。其特点包括±30V的标准栅极-源极电压、3.5V的阈值电压以及290毫欧的漏极-源极电阻。该器件采用SJ_Multi-EPI技术,封装为TO263。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单N沟道MOSFET
- 额定漏极-源极电压(VDS): 500V
- 标准栅极-源极电压(VGS): ±30V
- 阈值电压(Vth): 3.5V
- 栅极-源极电压为10V时的漏极-源极电阻(毫欧): 290
- 漏极电流(ID): 14A
- 技术: SJ_Multi-EPI
封装: TO263

领域和模块应用:

举例说明:
1. 工业电力领域: 由于VBL15R14S具有较高的额定电压和较大的漏极电流,适用于工业电力系统中的高功率模块,如工业电源和变频器。在工业电源中,它可以用作直流稳压器的功率开关器件,实现电压调节和过载保护。
2. 电动汽车: 该MOSFET可用于电动汽车和混合动力车辆中的电力控制模块,如电动机驱动器和电池管理系统。其高额定电压和大漏极电流使其成为电动汽车系统中的关键组件,确保了车辆的高效运行和长期稳定性。
3. 太阳能逆变器: 在太阳能逆变器中,VBL15R14S可用作高压开关器件,帮助实现光伏电池到电网的能量转换。其高额定电压和稳定的性能确保了太阳能逆变器系统的高效运行和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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