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VBL15R10S 产品详细

产品简介:

VBL15R10S是一款单N沟道MOSFET,具有高额定漏极-源极电压和SJ_Multi-EPI技术,适用于高压、高功率应用的设计。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单N沟道MOSFET
- 额定漏极-源极电压(VDS): 500V
- 额定栅极-源极电压(VGS): ±30V
- 阈值电压(Vth): 3.5V
- 栅-源电压为10V时的漏极-源极导通电阻(mΩ): 380mΩ
- 漏极电流(ID): 10A
- 技术: SJ_Multi-EPI
- 封装: TO263

领域和模块应用:

以下是该产品适用的一些领域和对应的模块:

1. 电力电子模块:
VBL15R10S可用于设计各种类型的电力电子模块,如电源逆变器、电动汽车充电桩和工业用逆变器等。其高额定漏极-源极电压和低导通电阻能够实现高效的能量转换和稳定的电力输出,适用于电力系统、能源领域和工业自动化应用。

2. 高压电源模块:
在高压电源领域,VBL15R10S可用于设计各种高压直流电源模块和脉冲功率放大器。其高额定漏极-源极电压和SJ_Multi-EPI技术使其能够承受高压工作环境下的稳定性能,适用于医疗设备、通信基站和科学研究等领域。

3. 工业控制模块:
在工业控制系统中,VBL15R10S可用于设计各种工业控制模块和电机驱动器。其高额定漏极-源极电压和低导通电阻能够实现精准的电机控制和稳定的工业自动化应用,适用于制造业、汽车工程和机械加工等领域。

4. 可再生能源模块:
在可再生能源领域,VBL15R10S可用于设计太阳能逆变器、风力发电控制器和能量存储系统。其高额定漏极-源极电压和高性能技术使其能够适应复杂的能源转换环境,提高可再生能源利用效率和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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