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VBL15R07S 产品详细

产品简介:

VBL15R07S是VBsemi公司生产的单通道N型MOSFET,具有高性能和可靠性。其特性包括500V的漏极-源极电压,±30V的栅极-源极电压(最大值),以及3.5V的阈值电压。采用多重EPI结构(SJ_Multi-EPI),具有较高的导通电阻和最大7A的漏极电流,适用于电源模块、电动车充电器、工业驱动器和太阳能逆变器等领域的各种模块。

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产品参数:

**参数:**
- **Single N:** 单通道N型MOSFET
- **VDS(V):** 漏极-源极电压:500V
- **VGS(±V):** 栅极-源极电压(最大值):±30V
- **Vth(V):** 阈值电压:3.5V
- **VGS=10V(mΩ):** 栅极-源极电压为10V时的导通电阻:550mΩ
- **ID (A):** 最大漏极电流:7A
- **Technology:** 多重EPI结构(SJ_Multi-EPI)
- **封装:** TO263

领域和模块应用:


VBL15R07S适用于多个领域和模块,包括但不限于:

1. **电源模块:** 由于其高耐压和中功率特性,VBL15R07S可用于电源模块中的开关电源和电源控制。它可以帮助实现高效的能量转换和稳定的电源输出。

2. **电动车充电器:** 在电动车充电器中,VBL15R07S可以作为电源开关和电池充电控制器的关键元件。其高耐压和中功率特性使其能够有效地管理电动车的充电过程。

3. **工业驱动器:** 在中功率的工业驱动器中,VBL15R07S可以用作电机控制器的关键组件,用于实现工业设备的高效控制和运行。其稳定性和性能使其成为工业驱动器系统的理想选择。

4. **太阳能逆变器:** 对于中高压、中功率的太阳能逆变器系统,VBL15R07S可以用作功率开关和电源控制器,确保逆变器系统的稳定性和效率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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