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VBL155R01 产品详细

产品简介:


- 该产品为单 N 型场效应晶体管,适用于低功率应用。
- 具有较高的额定漏极-源极电压(VDS)和较高的导通电阻,适用于要求较高电压和低功率的场合。
- 技术上采用了 Plannar 结构,提高了性能和可靠性。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单 N 型
- 额定漏极-源极电压(VDS): 550V
- 门源电压范围(VGS): ±30V
- 阈值电压(Vth): 3.5V
- 门源电压为10V时的导通电阻(mΩ): 6500
- 最大漏极电流(ID): 1A
- 技术: Plannar
封装: TO263

领域和模块应用:

应用简介:
- 适用领域:
- 小功率电源
- 信号放大器
- 控制电路
- 传感器接口
- 低功率开关电路

举例说明:
1. 小功率电源模块: 用于各种小型电子设备的电源供应,如便携式设备、智能家居设备等。
2. 信号放大器模块: 用于信号放大和处理的电路,如音频放大器、视频放大器等。
3. 控制电路模块: 用于各种控制电路,如电机控制、照明控制等,提供可靠的开关功能。
4. 传感器接口模块: 用于传感器和微控制器之间的接口电路,实现传感器数据的采集和处理。
5. 低功率开关电路模块: 用于低功率开关电路,如电源管理、信号开关等应用,提供稳定的开关性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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