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VBL1307 产品详细

产品简介:

VBL1307是一款单N沟道场效应晶体管(MOSFET),其主要参数包括耐压(VDS)为30V,门源电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同门源电压下的导通电阻(RDSon)。其封装形式为TO263。

VBL1307适用于各种电源和功率控制应用,特别是在需要高效能和低导通电阻的场合,包括电源模块、电机驱动模块、电动车充放电模块以及LED驱动模块等。

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产品参数:

产品型号:VBL1307
品牌:VBsemi
参数:
- Single N
- VDS(V):30
- VGS(±V):20
- Vth(V):1.7
- VGS=4.5V时的导通电阻(mΩ):8
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):6
- ID (A):70
- Technology:Trench
封装:TO263

领域和模块应用:

以下是该产品在不同领域和模块中的应用举例:

1. **电源模块**:由于VBL1307具有低导通电阻和高电流承受能力,适合用作开关电源模块中的功率开关器件,用于稳压、变压和反激电路等。

2. **电机驱动模块**:在电机控制模块中,VBL1307可以作为电机驱动器件,用于控制电机的启停、转向和速度调节,提高电机的效率和响应速度。

3. **电动车充放电模块**:在电动车充放电控制系统中,VBL1307可用于充放电器的功率开关控制,实现电池充电和放电的高效率和稳定性。

4. **LED驱动模块**:作为LED照明产品的驱动器件,VBL1307可以实现LED的亮度调节和频闪控制,提高LED照明系统的效能和可靠性。

综上所述,VBL1307适用于各种需要高效能和高性能的功率控制和开关应用领域,包括电源模块、电机驱动模块、电动车充放电模块以及LED驱动模块等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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