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VBL1254N 产品详细

产品简介:

VBL1254N是一款单N沟道MOSFET,具有高漏极-源极电压、低阈值电压和低导通电阻,适用于高功率电子设备的设计。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单N沟道MOSFET
- 额定漏极-源极电压(VDS): 250V
- 额定栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 3.5V
- 栅-源电压为10V时的漏极-源极导通电阻(mΩ): 40mΩ
- 漏极电流(ID): 60A
- 技术: 沟道栅结构
- 封装: TO263

领域和模块应用:

以下是该产品适用的一些领域和对应的模块:

1. 电源开关模块:
VBL1254N可用于设计各种高功率的电源开关模块,如电源逆变器、开关电源和功率放大器等。其高漏极-源极电压和低导通电阻使其成为电源开关系统中的理想选择,可用于工业电源、通信设备和电力电子设备等领域。

2. 电动车辆驱动模块:
在电动车辆的电动机驱动系统中,VBL1254N可以作为驱动模块的关键元件。适用于电动汽车、电动摩托车和电动自行车等交通工具的电机控制器,实现高效、可靠的电机驱动和动力输出。

3. 工业自动化模块:
在工业自动化领域,VBL1254N可用于设计各种高功率的工业自动化模块,如PLC控制器、工业机器人和自动化生产线等。其稳定性和可靠性使其成为工业控制系统中的重要组成部分,可用于提高生产效率和降低能耗。

4. 太阳能逆变器模块:
作为太阳能逆变器模块的一部分,VBL1254N可用于设计太阳能发电系统中的逆变器和电能转换器。其高功率处理能力和稳定性能使其能够实现太阳能电能的高效转换和稳定输出,适用于户用太阳能发电系统和商用太阳能发电站等应用场景。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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