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VBL1251K 产品详细

产品简介:

VBL1251K是VBsemi公司生产的单通道N型MOSFET,具有可靠的性能和高质量的制造。其特性包括250V的漏极-源极电压,±20V的栅极-源极电压(最大值),以及3V的阈值电压。采用沟道深沟工艺(Trench),具有较高的导通电阻和最大4.4A的漏极电流,适用于多种中低功率的应用场景。

VBL1251K作为一款中低功率、可靠性强的单通道N型MOSFET,适用于低功率电源模块、LED驱动器、电机控制和消费电子产品等领域的各种模块。

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产品参数:

**参数:**
- **Single N:** 单通道N型MOSFET
- **VDS(V):** 漏极-源极电压:250V
- **VGS(±V):** 栅极-源极电压(最大值):±20V
- **Vth(V):** 阈值电压:3V
- **VGS=10V(mΩ):** 栅极-源极电压为10V时的导通电阻:1100mΩ
- **ID (A):** 最大漏极电流:4.4A
- **Technology:** 沟道深沟工艺(Trench)
- **封装:** TO263

领域和模块应用:

**应用简介:**
VBL1251K适用于多个领域和模块,包括但不限于:

1. **低功率电源模块:** 在低功率电源模块中,VBL1251K可用于开关电源和稳压器等电路。其性能稳定可靠,能够提供稳定的电源输出。

2. **LED驱动器:** 在LED照明和显示领域,VBL1251K可用作LED驱动器的关键元件。它能够提供可靠的电源开关和调节功能,确保LED系统的高效运行。

3. **电机控制:** 在中低功率的电机控制系统中,VBL1251K可以用作电机驱动器的关键组件,用于控制电机的运行和速度调节。其稳定性和性能使其成为电机控制系统的理想选择。

4. **消费电子产品:** 例如电源适配器、电池充电器等消费电子产品中,VBL1251K可以用于功率开关和电源控制,确保产品的稳定性和性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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