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VBL1208N 产品详细

产品简介:

VBL1208N是一款单N型的Trench技术MOSFET,具有200V的漏极-源极电压(VDS),±20V的门极-源极电压(VGS),3V的阈值电压(Vth),以及48毫欧的导通电阻。它能够承受最大40安培的漏极电流(ID)。该器件采用TO263封装。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单N型
- VDS(V): 200
- VGS(±V): ±20
- 阈值电压(V): 3
- VGS=10V时的导通电阻(毫欧): 48
- 最大漏极电流(ID) (安培): 40
- 技术: Trench
封装: TO263

领域和模块应用:

**应用简介:**
1. **电源转换器**: 由于VBL1208N具有适中的漏极电流和导通电阻,适用于电源转换器和DC-DC转换器模块,例如适配器、充电器等。

2. **电动工具**: 在电动工具中,该器件可用于电动钻、电动锤等电源模块,以实现高效率和可靠的工具运行。

3. **家用电器**: 该器件可用于家用电器产品中的电源管理模块,例如空调、冰箱等,确保高效率和稳定的电源供应。

4. **工业控制**: VBL1208N适用于工业控制领域中的功率开关模块,如PLC(可编程逻辑控制器)和传感器控制器,以确保设备的可靠性和稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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