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VBL1203M 产品详细

产品简介:

VBL1203M是一款单N沟道MOSFET,具有200V的额定漏极-源极电压和10A的额定漏极电流。采用TO263封装,适用于中功率电力和电子应用,为这些模块提供稳定可靠的功率开关功能,推动中功率应用领域的发展和应用。具有良好的热特性和可靠性。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单N沟道MOSFET
- 额定漏极-源极电压 (VDS): 200V
- 门极-源极电压 (VGS) (±V): ±20V
- 阈值电压 (Vth): 3V
- 在VGS=10V时的漏极-源极导通电阻 (mΩ): 300mΩ
- 额定漏极电流 (ID): 10A
- 技术: 沟道结构 (Trench)
封装: TO263

领域和模块应用:


示例应用:
1. **电源管理模块**:
VBL1203M适用于电源管理模块中的稳压器和开关电源。其中等额定漏极-源极电压和漏极电流特性,使其适用于工业控制系统、医疗设备和通信设备等中功率应用。

2. **照明控制模块**:
在LED照明控制模块中,VBL1203M可用作LED驱动电路中的功率开关。其200V的额定漏极-源极电压和10A的额定漏极电流,适用于各种LED照明系统,如户外照明、建筑照明和车辆照明。

3. **电机驱动模块**:
在中功率电机驱动模块中,VBL1203M可用作电机控制器中的功率开关元件。其中等额定漏极-源极电压和漏极电流特性,使其适用于工业机械、电动工具和家用电器等领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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