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VBL1202M 产品详细

产品简介:

VBL1202M是一款单N沟道MOSFET,适用于多种高压电力和电子应用。其设计用于满足高压和高电流要求,并采用TO263封装形式,具有良好的散热性能,适合于高功率密度应用。

可以看出VBL1202M适用于电源转换模块、电动汽车充电桩和电源管理模块等领域,为这些模块提供高效稳定的功率开关功能,推动电力和电子领域的发展和应用。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单N沟道MOSFET
- 额定漏极-源极电压 (VDS): 200V
- 门极-源极电压 (VGS) (±V): ±20V
- 阈值电压 (Vth): 3V
- 在VGS=10V时的漏极-源极导通电阻 (mΩ): 180mΩ
- 额定漏极电流 (ID): 18A
- 技术: 沟道结构 (Trench)
封装: TO263

领域和模块应用:

示例应用:
1. **电源转换模块**:
VBL1202M可用于电源转换模块中的直流-直流转换器和开关电源。由于其高额定漏极-源极电压和漏极电流能力,适用于各种工业和通信设备,如服务器电源、电信基站和数据中心电源。

2. **电动汽车充电桩**:
在电动汽车充电桩中,VBL1202M可用作充电桩的功率开关元件。其高额定漏极-源极电压和漏极电流特性,使其能够承受高压和电流,同时具有较低的导通压降,提高了充电桩的效率和可靠性。

3. **电源管理模块**:
在电源管理模块中,VBL1202M可用于稳压器和开关电源的功率开关。其高漏极-源极导通电阻和额定电流特性,使其适用于各种功率级别的电源系统,如工业自动化设备和家用电器。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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