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VBL11518 产品详细

产品简介:

VBL11518是一款单通道N型MOS场效应管(Single N MOSFET),适用于最高150V的电路。其栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为3V,漏极-源极导通电阻在VGS=10V时为18mΩ,漏极电流(IDVBL11518是一款单通道N型MOS场效应管(Single N MOSFET),适用于最高150V的电路。其栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为3V,漏极-源极导通电阻在VGS=10V时为18mΩ,漏极电流(ID)额定为75A。采用Trench技术,具有优异的性能和稳定性。封装形式为TO263,便于安装和散热。

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产品参数:

参数:
- MOSFET类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):150V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- 在VGS=10V时的漏极-源极导通电阻(mΩ):18
- 漏极电流(ID):75A
- 技术:Trench
封装:TO263

领域和模块应用:

**应用简介及示例:**
1. **电动汽车电池管理系统模块:** VBL11518适用于电动汽车的电池管理系统模块,如电池管理单元(Battery Management Unit,BMU)和电池保护板(Battery Protection Board)。其高电压和电流能够满足电池管理系统对电能转换和保护的需求,TO263封装形式适合于紧凑的电池包布局和散热。

2. **太阳能逆变器模块:** 在太阳能发电系统中,VBL11518可用于逆变器模块,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。其参数能够满足逆变器对高电压和大电流的要求,TO263封装形式适用于户外环境的安装,并能有效散热,保证逆变器的稳定运行。

3. **工业电力控制模块:** VBL11518适用于工业电力控制模块,如电力逆变器和变频驱动器。其性能能够满足工业领域对电能转换和控制的严格要求,TO263封装形式适合工业环境中的安装和散热需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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