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VBL1141N 产品详细

产品简介:

VBL1141N是一款单N型功率场效应管,适用于多种应用场合。包括电源模块,电动汽车充电桩,工业自动化控制,太阳能逆变器。

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产品参数:

产品型号:VBL1141N
品牌:VBsemi
参数:
- 类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):140V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3.2V
- 栅极-源极电压为10V时的漏极电阻(mΩ):11
- 最大漏极电流(ID):100A
- 技术:Trench
封装:TO263

领域和模块应用:


该产品适用于以下领域和模块:

1. **电源系统**:
该型号的MOSFET具有较高的额定漏极-源极电压(VDS)和漏极电流(ID)能力,适合用于电源系统中的开关电源、DC-DC转换器等模块,可实现高效的能量转换和稳定的电源输出。

2. **电动汽车充电桩**:
由于具有较高的漏极电流(ID)和可靠的漏极-源极电压(VDS)特性,该型号的MOSFET可用于电动汽车充电桩中的充电模块,能够支持高功率的充电输出和安全稳定的充电过程。

3. **工业自动化控制**:
在工业自动化控制系统中,需要可靠的电力开关器件来实现各种控制功能。该型号的MOSFET具有低漏极电阻和高漏极电流能力,适合用于工业电机驱动、温度控制、灯光控制等模块,能够提供高效的电力控制和可靠的工作性能。

4. **太阳能逆变器**:
由于该型号MOSFET具有优异的功率特性和高效的能量转换能力,可用于太阳能逆变器中的功率开关模块,能够实现太阳能电能的高效转换和稳定输出,提高太阳能发电系统的整体效率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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