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VBL1105 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBL1105是一款Single N型场效应晶体管(FET),具有以下关键参数:
- 最大漏极-源极电压(VDS)为100V,适用于中等电压的应用。
- 最大门极-源极电压(VGS)为正负20V,具有较高的电压容忍度。
- 门极阈值电压(Vth)为3V,表明该器件具有较低的门控电压。
- 在VGS=10V时的导通电阻为4mΩ,表现出较低的导通电阻。
- 最大漏极电流(ID)为140A,具有较高的电流承受能力。
- 采用Trench技术,具有良好的性能和可靠性。
- 封装为TO263,适合于表面贴装技术。

VBL1105适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域,为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。

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产品参数:

参数:
- Single N
- VDS(V): 100
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 3
- VGS=10V(mΩ): 4
- ID (A): 140
- Technology: Trench
封装: TO263

领域和模块应用:

应用简介:
VBL1105适用于多种领域和模块,包括但不限于:
1. **电源模块**:由于其较高的电流承受能力和较低的导通电阻,VBL1105可用于各种电源模块,如开关电源、逆变器和稳压器,提供高效的功率开关解决方案。
2. **电动汽车充电桩**:该器件具有适中的电压容忍度和电流承受能力,适合用于电动汽车充电桩中的功率开关电路,提供可靠的充电解决方案。
3. **电机驱动**:VBL1105也可用于电机驱动模块中的功率开关电路,如电动汽车驱动器、电机控制器等,提供稳定的电力控制和驱动能力。
4. **工业控制**:由于其稳定性和可靠性,VBL1105可用于工业控制模块中的功率开关电路,如PLC和工业自动化设备,提供高效的电力控制和转换能力。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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