VBL1101M - VBsemi MOS管制造商

VBL1101M 产品详细

描述
参数
应用
技术支持

产品简介：

- **VDS（漏极-源极电压）：** 100V的额定电压使其适用于中等电压应用。
- **VGS（门极-源极电压）：** ±20V的额定电压提供了广泛的控制范围。
- **Vth（阈值电压）：** 1.8V的低阈值电压意味着可以通过较低的门极电压实现开关操作，有助于减少功耗。
- **VGS=10V时的漏极-源极导通电阻：** 100mΩ的导通电阻适用于中等功率应用。
- **ID（最大漏极电流）：** 20A的额定电流适用于中等功率应用。
- **技术：** 采用Trench技术，提供了更高的功率密度和更低的导通电阻。
- **封装：** TO263封装适用于需要散热性能较好的应用。

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产品参数：

**参数：**
- 单极性 N 型 MOSFET
- 额定漏极-源极电压（VDS）：100V
- 门极-源极电压（VGS）：±20V
- 阈值电压（Vth）：1.8V
- 在VGS=10V时，漏极-源极导通电阻（mΩ）：100
- 最大漏极电流（ID）：20A
- 技术：Trench（沟槽型）
**封装：** TO263

领域和模块应用：

**应用简介及举例：**
- **电源模块：** VBL1101M适用于电源模块中的开关电源、DC-DC转换器和逆变器。由于其中等功率和中等电压特性，可用于工业控制系统、电源管理系统和通信设备中的电源模块。
- **马达控制：** 由于其较高的漏极电流能力，VBL1101M也适用于马达控制器中的功率开关。例如，可用于电动汽车驱动控制器、电动工具马达控制器和家用电器中的马达控制模块。
- **电动汽车充电器：** 在电动汽车充电器中，VBL1101M可用作功率开关，用于控制充电电流和保护电路。例如，可用于快速充电站、家用电动车充电器和电动汽车充电器中的开关电路。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

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