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VBKB4265 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBKB4265是一款双P+P型功率MOSFET,采用了Trench技术,具有高效的功率控制能力。其封装为SC70-8,适用于对封装体积要求较小的电路和模块。

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产品参数:

**VBsemi VBKB4265 双P+P型功率MOSFET**

**参数说明:**
- **品牌:** VBsemi
- **型号:** VBKB4265
- **封装:** SC70-8
- **Dual P+P:** 双P+P型
- **最大漏极-源极电压(VDS):** -20V
- **最大栅极-源极电压(VGS):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** -0.8V
- **栅极-源极电压为4.5V时的导通电阻(mΩ):** 98
- **栅极-源极电压为10V时的导通电阻(mΩ):** 65
- **最大漏极电流(ID):** -3.5A
- **技术:** Trench

领域和模块应用:

**举例说明:**
1. **便携式电子设备:** 由于VBKB4265具有小型的SC70-8封装和高效的功率控制能力,非常适合用于便携式电子设备中的电池管理和功率控制模块。例如,智能手机、平板电脑等便携式设备中的充电管理模块。

2. **智能穿戴设备:** 智能穿戴设备需要小型化和高效的功率管理模块来满足对设备体积和能耗的要求。VBKB4265可用于智能手表、智能眼镜等智能穿戴设备中的功率管理模块,实现电池管理和功率控制。

3. **传感器接口模块:** 很多传感器需要接口模块来进行数据采集和信号处理,而VBKB4265的小型封装和高效功率控制能力使其非常适合用于传感器接口模块中的功率开关控制,实现对传感器的高效管理和控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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