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VBK8238 产品详细

产品简介:

VBK8238是一款单通道MOS场效应晶体管,适用于负20伏的漏极-源极电压。它具有20伏的栅极-源极电压和-0.6伏的阈值电压。在2.5伏的栅极-源极电压下,导通电阻为45mΩ;在4.5伏的栅极-源极电压下,导通电阻为34mΩ。最大漏极电流为-4安培。采用沟道技术制造,封装为SC70-6。

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产品参数:

**产品型号:** VBK8238
**品牌:** VBsemi
**参数:**
- **通道类型:** 单通道
- **漏极-源极电压(VDS):** -20V
- **栅极-源极电压(VGS)(±V):** 20V
- **阈值电压(Vth):** -0.6V
- **导通电阻 RDS(on) (VGS=2.5V)(mΩ):** 45
- **导通电阻 RDS(on) (VGS=4.5V)(mΩ):** 34
- **漏极电流 ID (A):** -4A
- **技术:** 沟道(Trench)
- **封装:** SC70-6

领域和模块应用:

**应用简介:**
VBK8238适用于各种电子模块和电路设计,特别是在以下领域和模块中具有广泛应用:
1. **电源管理模块:** 由于其低导通电阻和高耐压特性,VBK8238非常适合用于电源管理模块中的功率开关和电压调节器。
2. **驱动器模块:** 作为MOS场效应晶体管,VBK8238可用作电机驱动器和LED驱动器模块中的开关器件,以实现高效能量转换和精准控制。
3. **充放电保护模块:** 在锂电池充放电保护电路中,VBK8238可以用作保护开关,确保电池充放电过程中的安全和稳定性。
4. **汽车电子模块:** 由于其高性能和可靠性,VBK8238适用于汽车电子系统中的各种模块,如发动机控制单元(ECU)、车载充电器和LED车灯控制器等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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