VBK7322是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。其主要参数包括：
- 额定漏极-源极电压（VDS）为30V，适用于低压驱动电路。
- 最大栅极-源极电压（VGS）为20V，提供了较宽的工作范围。
- 阈值电压（Vth）为1.7V，适合于低压控制电路。
- 在VGS=4.5V时的导通电阻为27mΩ，在VGS=10V时的导通电阻为23mΩ，具有较低的导通电阻，适用于低功率控制。
- 最大漏极电流（ID）为4.5A，适用于低功率应用。
- 采用Trench技术，具有优良的电气特性和可靠性。

VBK7322适用于低功率控制和驱动应用，包括传感器接口模块、电池管理模块、LED驱动模块等领域。