产品参数：
### 详细参数说明
- **产品型号：** VBK5213N
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
- **类型：** 双 N 型和 P 型沟道功率 MOSFET
- **漏极-源极电压（VDS）：** ±20V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** 1.0V (N 型) / -1.2V (P 型)
- **栅极-源极电压为2.5V时的导通电阻（mΩ）：** 110 (N 型) / 190 (P 型)
- **栅极-源极电压为4.5V时的导通电阻（mΩ）：** 90 (N 型) / 155 (P 型)
- **漏极电流（ID）：** 3.28A (N 型) / -2.8A (P 型)
- **技术：** 槽沟（Trench）
- **封装：** SC70-6
领域和模块应用：
### 应用领域举例
1. **电流控制电路：** VBK5213N 可用于电流控制电路中，通过控制 N 型和 P 型 MOSFET 的导通状态，实现电流的精确调节和控制。
2. **电源管理系统：** 在电源管理系统中，该产品可用于电池管理电路中的充放电控制，帮助实现电池的高效充电和放电。
3. **电流反向保护：** 由于 VBK5213N 具有双极性设计，可用于电路中的电流反向保护，防止电流逆向流入电路而损坏器件。
4. **信号开关：** 在信号开关电路中，该产品可用于开关控制和信号调节，帮助实现信号的准确传输和控制
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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