VBK4223N是一款双P+P型MOSFET，具有以下详细参数：

1. **VDS(V)**：额定工作电压为-20V，适用于低电压应用场景。
2. **VGS(±V)**：门源极电压范围为±12V，具有良好的驱动能力。
3. **Vth(V)**：阈值电压为-0.6V，表现出较低的门源极电压驱动要求。
4. **RDS(on) VGS=2.5V(mΩ)**：当门源极电压为2.5V时，导通电阻为235mΩ。
5. **RDS(on) VGS=4.5V(mΩ)**：当门源极电压为4.5V时，导通电阻为155mΩ。
6. **ID (A)**：最大漏电流为-1.8A，适用于低功率应用。
7. **Technology**：采用Trench技术，具有良好的导通性能和稳定性。
8. **封装**：SC70-6，适用于小型集成电路应用。

VBK4223N适用于多种低功率应用场景，其小型封装、低功耗和稳定性使其成为移动设备、消费类电子、医疗设备和工业控制等领域的理想选择。