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VBK362K 产品详细

产品简介:

VBK362K是一款双极N+N沟道MOSFET,具有低漏电流和高阻抗特性,适用于各种低功耗和小尺寸电子设备的开关和控制应用。其高电压容限和优异的温度稳定性使其在多个领域和模块中具有广泛的应用。

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产品参数:

参数:
- 结构类型: 双极N+N沟道MOSFET
- 额定漏极-源极电压(VDS): 60V
- 额定栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 1.7V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(mΩ): 3200mΩ
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ): 2500mΩ
- 额定漏极电流(ID): 0.3A
- 技术: Trench
- 封装: SC70-6

领域和模块应用:

举例说明:
1. 领域: 移动设备
- 模块: 充电管理模块
- 应用: 在移动设备的充电管理模块中,VBK362K可用于充电开关控制和电池保护。其低功耗和小尺寸特性使其非常适合于便携式设备,如智能手机、平板电脑和便携式充电器。

2. 领域: 智能家居
- 模块: 家庭自动化控制模块
- 应用: 在智能家居控制系统中,VBK362K可用于控制各种家电和照明设备的开关和调节。其高阻抗和稳定性可确保系统的稳定性和可靠性。

3. 领域: 医疗器械
- 模块: 医疗监护设备控制模块
- 应用: 在医疗器械的控制模块中,VBK362K可用于控制各种传感器和执行器的开关和调节。其低功耗和小尺寸使其非常适合于医疗设备的高密度集成和低功耗要求。

通过这些举例,可以看出VBK362K在不同领域和模块中都具有广泛的应用前景,为各种电子设备提供了高效、稳定的控制和开关解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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