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VBK3215N 产品详细

产品简介:

VBK3215N是一款双 N 型 + N 型场效应晶体管,适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。

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产品参数:

参数:
- 结构类型: 双 N 型 + N 型
- 最大漏极-源极电压 (VDS): 20V
- 最大栅极-源极电压 (VGS): ±12V
- 阈值电压 (Vth): 0.5~1.5V
- 在VGS=2.5V时的漏极-源极导通电阻 (RDS(on)): 110mΩ
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极导通电阻 (RDS(on)): 86mΩ
- 最大漏极电流 (ID): 2.6A
- 技术: Trench
封装: SC70-6

领域和模块应用:

以下是该产品在不同领域和模块中的应用举例:

1. 移动设备模块:
在移动设备模块中,VBK3215N可用于驱动移动设备中的电机和传感器。其小封装和高性能使其能够在有限空间内提供可靠的功率输出和控制功能,例如在智能手机中的振动马达控制。

2. 消费电子模块:
在消费电子模块中,VBK3215N可用于各种家用电器和娱乐设备中的功率控制和管理。其高阈值电压和低导通电阻特性使其能够在消费电子产品中提供稳定的电源输出和功率转换。

3. 医疗设备模块:
在医疗设备模块中,VBK3215N可用于驱动医疗设备中的电机和执行器。其高漏极-源极电压和小封装使其能够在医疗设备中提供可靠的功率控制和精确的运动控制,例如在医疗机器人和医用注射器中的应用。

4. 工业传感器模块:
在工业传感器模块中,VBK3215N可用于驱动工业传感器中的执行器和信号处理器。其高性能和稳定性使其成为工业环境中传感器系统的理想选择,能够提供可靠的功率管理和控制功能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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