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VBK264K 产品详细

产品简介:

VBK264K是一款单P通道功率MOSFET,具有-60V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS),和-1.7V的阈值电压(Vth)。在栅极-源极电压为4.5V时,导通时的导通电阻为5000mΩ;在栅极-源极电压为10V时,导通时的导通电阻为4000mΩ。该MOSFET的最大漏极电流(ID)为-0.135A,采用Trench技术制造。

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产品参数:

**VBK264K**

**品牌:** VBsemi
**参数:**
- 类型: Single P
- 漏极-源极电压(VDS): -60V
- 栅极-源极电压(VGS)(±V): 20
- 阈值电压(Vth)(V): -1.7
- 栅极-源极电压为4.5V时导通时的导通电阻(mΩ): 5000
- 栅极-源极电压为10V时导通时的导通电阻(mΩ): 4000
- 最大漏极电流(ID)(A): -0.135
- 技术: Trench

**封装:** SC70-3

领域和模块应用:

**应用简介:**
VBK264K适用于多种领域和模块,包括但不限于:
1. **移动设备模块:** 由于其小型封装和低功耗特性,VBK264K适用于移动设备模块,如智能手机、平板电脑和便携式电子设备。它能够提供电源管理和功率控制功能,延长移动设备的电池寿命。

2. **传感器接口模块:** 在传感器应用中,VBK264K可用于传感器接口模块,如温度传感器、湿度传感器和光电传感器。其低漏极电流和稳定的性能有助于确保传感器数据的准确性和稳定性。

3. **医疗设备模块:** 该MOSFET适用于医疗设备模块,如便携式医疗监测设备、医疗影像设备和医疗诊断设备。其小型封装和低功耗特性有助于提高医疗设备的便携性和稳定性。

4. **工业传感器网络模块:** 在工业自动化领域,VBK264K可用于工业传感器网络模块,如工业传感器接口和数据采集模块。其高集成度和稳定的性能能够满足工业环境中对传感器网络的高效管理和数据采集要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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