MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBK162K 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBK162K产品是一款单N型场效应晶体管,适用于电压驱动应用。其漏极-源极电压(VDS)为60V,门极-源极电压(VGS)范围为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V。在VGS=4.5V时,漏极-源极电阻为4000mΩ,在VGS=10V时为2000mΩ。最大漏极电流(ID)为0A,采用了Trench技术。该产品采用SC70-3封装,体积小巧,适合紧凑型电路设计。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

参数:
- 单N
- VDS(V): 60
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 1.7
- VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(mΩ):4000
- VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):2000
- ID (A):0
- Technology:Trench
封装:SC70-3

领域和模块应用:

应用简介:
1. 电源管理模块:尽管VBK162K的最大漏极电流为0A,但其较高的漏极-源极电压和漏极-源极电阻使其适合用于电源管理模块中的过压保护电路、反向极性保护电路等,用于保护电路和设备免受过压和反向电压的损害。

2. 传感器接口模块:在传感器接口模块中,需要能够隔离传感器和控制电路之间的电压信号,并提供电平转换功能。VBK162K可用于传感器信号调节、电平转换等功能,保护后端电路免受传感器信号的干扰。

3. 电池管理模块:在电池管理系统中,需要能够监测电池电压并进行相应的控制和保护。该产品可用于电池保护模块中的过压保护、欠压保护等功能,确保电池的安全运行。

4. DC-DC转换器控制模块:尽管VBK162K的最大漏极电流为0A,但其高压能力和低漏电阻使其适合用于DC-DC转换器控制模块中的电源开关控制器、电流检测器等功能,提高转换效率和稳定性。

5. 模拟电路保护模块:在模拟电路中,需要保护关键元件免受过压和反向电压的损害。VBK162K可用于模拟电路保护模块中的电压保护、电流限制等功能,保护模拟电路的稳定性和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询