此产品为单 N 型 MOSFET，其主要参数包括：
- 最大漏极-源极电压（VDS）为 20V；
- 最大栅极-源极电压（VGS）为正负 20V；
- 阈值电压（Vth）在 0.5 到 1.5 之间；
- 当栅极-源极电压为 2.5V 时，导通电阻（RDS(on)）为 30mΩ；
- 当栅极-源极电压为 4.5V 时，导通电阻为 26mΩ；
- 最大漏极电流（ID）为 5A；
- 采用槽道（Trench）技术制造；
- 封装为 SC70-3。