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VBK1230N 产品详细

产品简介:

VBK1230N是一款单N沟道场效应管,适用于低压应用场景。其主要特点包括低阈值电压、低开启电阻和高漏极电流等特性。该器件采用Trench技术制造,具有良好的性能稳定性和可靠性。

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产品参数:

产品型号:VBK1230N
品牌:VBsemi
参数:
- 类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):20V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):0.5~1.5V
- 开启电阻(RDS(on)):
- VGS=2.5V时:260mΩ
- VGS=4.5V时:210mΩ
- 额定漏极电流(ID):2A
- 技术:Trench
- 封装:SC70-3

领域和模块应用:

示例应用:
1. 电源管理模块:由于VBK1230N具有低阈值电压和低开启电阻的特点,适合用于低压电源管理模块中的电压调节和电流控制。例如,可用于移动设备充电管理电路中的电池保护、充放电控制等功能。

2. 信号处理模块:在信号处理模块中,VBK1230N可用于信号开关、电流放大器等电路中,实现信号的控制和处理。例如,可用于便携式音频设备中的音频开关电路,实现耳机插拔时的音频信号切换。

3. 载波通信模块:VBK1230N的低阈值电压和低开启电阻使其适合用于载波通信模块中的功率放大器和信号调节器。例如,可用于智能家居中的智能插座、智能开关等模块中,实现载波通信的功率放大和信号控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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