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VBJ2208M 产品详细

产品简介:

VBJ2208M是VBsemi品牌的单P型场效应晶体管

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产品参数:

最大漏极-源极电压(VDS)为-200V,最大门源电压(VGS)为±30V,阈值电压(Vth)为-3V。在门源电压为4.5V时,漏极-源极电阻为900mΩ;在门源电压为10V时,漏极-源极电阻为800mΩ。其最大漏极电流(ID)为-2A,采用沟槽工艺(Trench)。该产品采用SOT223封装。

领域和模块应用:



VBJ2208M晶体管适用于多种领域和模块。例如,在电源管理模块中,它可以用于电压稳定器、电源开关和电源逆变器。由于其高漏极-源极电压和低漏极-源极电阻,该晶体管非常适合用于功率放大和开关控制应用。在电动汽车电子模块中,它可用于电池管理系统、电机控制和充电器。此外,在LED驱动器模块中,它可用于电流调节和灯珠控制。总之,VBJ2208M晶体管在工业、汽车、通信等领域的电源管理、功率控制和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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