VBJ2202K - VBsemi MOS管制造商

VBJ2202K 产品详细

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产品简介：

VBJ2202K是VBsemi公司推出的一款高性能单P型场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有可靠的漏极-源极电压和栅极-源极电压，以及较低的阈值电压，适用于各种功率电路设计。采用Trench技术制造，具有良好的导通特性和稳定性。SOT223封装小巧轻便，适用于紧凑空间布局的应用场合。 VBJ2202K的详细参数说明和应用简介，该产品适用于多个领域和模块，能够满足不同应用场合的需求。

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产品参数：

**产品型号：** VBJ2202K
**品牌：** VBsemi
**参数：**
- 电源类型：Single P
- 最大漏极-源极电压（VDS）：-200V
- 最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
- 阈值电压（Vth）：-2V
- VGS=4.5V时的漏极-源极电阻（mΩ）：2400
- VGS=10V时的漏极-源极电阻（mΩ）：2000
- 最大漏极电流（ID）：-3A
- 技术：Trench
**封装：** SOT223

领域和模块应用：

**举例说明：**
1. 电源管理模块：VBJ2202K可用于电源管理模块中的电源开关和电压调节器，保证电源系统的高效稳定运行，并降低功率损耗。
2. 无线通信模块：在无线通信模块中，VBJ2202K适用于功率放大器和功率控制电路，确保信号的稳定传输和较低的功耗。
3. 电动车电池管理系统：由于VBJ2202K具有较高的漏极-源极电阻和较低的阈值电压，可用于电动车电池管理系统中的电池保护和电流控制，提高电池使用寿命和安全性。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

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