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VBJ1695IS 产品详细

产品简介:

VBJ1695IS是一款单极N沟道MOSFET,适用于各种电源管理和开关应用。其特点包括高电压和电流容限、低开关损耗以及优异的温度稳定性,使其在多种领域和模块中具有广泛的应用。在不同领域和模块中都具有广泛的应用前景,为各种电子系统提供了可靠的性能和稳定性保障。

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产品参数:

参数:
- 结构类型: 单极N沟道MOSFET
- 额定漏极-源极电压(VDS): 60V
- 额定栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 1.7V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(mΩ): 85mΩ
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ): 76mΩ
- 额定漏极电流(ID): 4.5A
- 技术: Trench
- 封装: SOT223

领域和模块应用:

举例说明:
1. 领域: 电源管理
- 模块: 开关电源模块
- 应用: 在开关电源中,VBJ1695IS的高电压容限和低开关损耗使其成为理想的选择。它可以用于DC-DC转换器、逆变器和电源开关等模块,以提高系统效率和稳定性。

2. 领域: 汽车电子
- 模块: 车辆电动系统控制模块
- 应用: 在车辆电动系统中,VBJ1695IS可用作电动机驱动器的开关器件。其高漏极-源极电压和电流容限使其能够承受汽车电池供电系统中的高压和高电流,并确保电动车辆的安全和稳定性。

3. 领域: 工业自动化
- 模块: PLC控制器输出模块
- 应用: 在PLC(可编程逻辑控制器)输出模块中,VBJ1695IS可用于控制各种工业设备和执行器。其优异的温度稳定性和低开关损耗使其适用于工业环境中长时间稳定运行的要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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