VBJ1695是一款单通道N沟道场效应晶体管，具有以下主要参数：
- **VDS(V)**: 标称漏极-源极电压为60V，适用于中低电压电路设计。
- **VGS(±V)**: 标称栅-源电压为±20V，具有较大的电压容忍度，可提供良好的电路灵活性。
- **Vth(V)**: 阈值电压为1.7V，表明在此电压下晶体管开始导通，适用于多种应用场景。
- **VGS=4.5V(mΩ)**: 根据标准测试条件VGS=4.5V时的导通电阻为85mΩ，VGS=10V时的导通电阻为76mΩ，具有较高的导通电阻，适用于低功率应用。
- **ID (A)**: 最大漏极电流为4.5A，适用于小功率负载应用。
- **Technology**: 采用Trench技术制造，具有较高的工作稳定性和可靠性。
- **封装**: 采用SOT223封装，适合于小功率应用的紧凑空间布局。

VBJ1695适用于需要小功率场效应管的应用场景，例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。