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VBJ165R04 产品详细

产品简介:

产品简介详:
VBsemi的VBJ165R04是一款单N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),和3.5V的阈值电压(Vth)。在VGS分别为4.5V和10V时,具有2500mΩ和2000mΩ的导通电阻,可承受最大4A的漏极电流(ID)。采用Plannar技术,封装为SOT223。

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产品参数:

参数说明:
- 型号:VBJ165R04
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应晶体管(MOSFET)
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=4.5V时的导通电阻:2500mΩ
- VGS=10V时的导通电阻:2000mΩ
- 最大漏极电流(ID):4A
- 技术:Plannar
- 封装:SOT223

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
该产品适用于以下领域和模块:
1. 小型电源模块:用于家用电器、消费电子产品等小功率设备的电源控制模块。
2. 电动工具:作为电动工具中的功率开关元件,例如手持电钻、电动剪刀等。
3. LED照明控制:在LED照明产品中的电源开关控制,如LED灯带、景观照明等。
4. 汽车电子:在汽车电子系统中,如车载电源管理、车灯控制等方面有应用。
5. 智能家居设备:用于智能插座、智能开关等智能家居设备中的功率控制模块。

这些领域和模块需要高效、小型化的功率开关元件来实现功率控制和开关功能,而VBJ165R04正是满足这些要求的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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