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VBJ165R02 产品详细

产品简介:

**产品简介:**
VBsemi的VBJ165R02是一款单N沟道MOSFET,采用Plannar技术制造,封装为SOT223。该产品具有高达650V的漏极-源极电压(VDS),并且具有较低的导通电阻。适用于各种电源管理和开关应用场合。

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产品参数:

**详细参数说明:**
- 品牌:VBsemi
- 型号:VBJ165R02
- 类型:Single N 沟道 MOSFET
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 栅极-源极电压为4.5V时的导通电阻:5000 mΩ
- 栅极-源极电压为10V时的导通电阻:4000 mΩ
- 最大漏极电流(ID):2A
- 技术:Plannar
- 封装:SOT223

领域和模块应用:

**适用领域和模块举例:**
1. **电源管理模块**:VBJ165R02适用于各种电源管理模块,如DC-DC转换器、AC-DC转换器和开关电源。其高电压和较低的导通电阻特性使其能够在电源管理中提供高效的功率开关功能。

2. **汽车电子**:在汽车电子领域,该型号的MOSFET可用于发动机控制单元(ECU)、车载充电器和车载电源管理系统等模块中。其高耐压和较低的导通电阻特性使其成为汽车电子系统中的重要组成部分。

3. **工业控制**:在工业控制领域,VBJ165R02可用于控制各种工业设备和机器人。其高电压和低导通电阻特性使其能够承受工业环境中的高电压和电流负载。

4. **太阳能逆变器**:在太阳能发电系统中,该型号的MOSFET可用于太阳能逆变器中的功率开关电路,实现太阳能电能的有效转换和管理。其高耐压特性使其适用于太阳能发电系统中的高压环境。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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