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VBJ1638 产品详细

产品简介:

VBJ1638是一款单 N 型 MOSFET,具有60V的核心电压(VDS),±20V的门源电压范围(VGS),以及1.7V的阈值电压(Vth)。在4.5V的门源电压下,漏极-源极电阻为33mΩ;在10V的门源电压下,漏极-源极电阻为28mΩ。最大漏极电流为7A。该产品采用了 Trench 技术制造,封装为 SOT223。

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产品参数:

产品型号:VBJ1638
品牌:VBsemi
参数:
- 类型:Single N
- 核心电压(VDS):60V
- 门源电压范围(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):1.7V
- 4.5V 门源电压时的漏极-源极电阻(mΩ):33
- 10V 门源电压时的漏极-源极电阻(mΩ):28
- 最大漏极电流(ID):7A
- 技术:Trench
封装:SOT223

领域和模块应用:

应用简介:
1. 便携式电子设备:VBJ1638具有较低的漏极电流和适中的漏极-源极电阻,适合用于便携式电子设备中的电源管理和功率控制模块。其低功耗和稳定可靠的性能使其成为便携式电子设备中的理想选择,如智能手机、平板电脑等。
2. DC-DC转换器:在DC-DC转换器中,需要使用功率开关器件来实现电压的升降转换。VBJ1638的高电压和适中的电流特性使其成为DC-DC转换器中的理想选择,能够提供稳定可靠的电压转换功能,如汽车电源转换器、太阳能电池转换器等。
3. LED驱动器:在LED照明系统中,需要使用功率开关器件来驱动LED灯的开关和调节。VBJ1638的低漏极电流和较低的电阻特性使其成为LED驱动器中的理想选择,能够实现LED灯的稳定亮度调节和高效能的驱动控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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